İNDİRGENMİŞ GRAFEN OKSİT ARAYÜZEY TABAKALI METAL OKSİT YARIİLETKEN KAPASİTÖRÜN DİELEKTRİK ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ

İbrahim KARTERİ

Özet


   Bu çalışmada, İndirgenmiş Grafen Oksit (RGO) arayüzey oksit tabakalı Au/RGO/p-Si metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörün dielektrik özelliklerinin frekans bağımlılığı 200, 300, 500 ve 700 kHz frekanslarda deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri alınarak incelendi. Ayrıca MOS kapasitörün dielektrik sabiti (ε'), dielektrik kayıp (ε"), dielektrik kayıp açısı (tanδ), ac elektrik iletkenlik (σac), reel ve imajiner elektrik modülü (Μ' ve Μ") değerleri 10 kHz-1 MHz frekans aralığında belirlendi. Elde edilen sonuçlar dielektrik parametrelerin frekansa bağımlı olduğunu açık bir şekilde göstermektedir. ε' ve ε'' artan frekansla azalmaktadır. σac, Μ' ve Μ" değerleri ise artan frekans ile artmaktadır.

   Anahtar Kelimeler: RGO, MOS kapasitör, kapasitans ve iletkenlik ölçümleri, dielektrik özellikler


Tam Metin:

PDF

Refback'ler

  • Şu halde refbacks yoktur.